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              富士通铁电FRAM 4M Bit MB85R4002A

              2021-04-01 09:30:05

              富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器(内存)。FRAM的数据保持,不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
               
              MB85R4002A是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,由262,144字×16位非易失性存储单元组成,这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据,而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的存储单元可用于1010个读/写操作,与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比,有了显着改进。MB85R4002A使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。
               
              引脚封装
               
               
               
              特点
              •位配置:262,144字×16位
              •LB和UB数据字节控制
              •读写续航力:1010次/字节
              •数据保留:10年(+ 55°C),55年(+ 35°C)
              •工作电源电压:3.0 V至3.6 V
              •低功耗运行:工作电源电流15 mA(典型值),待机电流50μA(典型值)
              •工作环境温度范围:−40°C至+ 85°C
              •封装:48引脚塑料TSOP(FPT-48P-M48)
              符合RoHS
               
              非易失性存储器FRAM,无需保持数据的电池,所以保持数据时不产生能耗。而且,写入时间较通用EEPROM及闪存要短,具有写入能耗低的优点。富士通FRAM代理英尚微电子为用户提供应用解决方案等产品服务。


              本文关键词: FRAM

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